数学
微分・積分
▼微分・積分Ⅱ 多変数の微分積分 基礎数学シリーズ６
線形代数
線形代数とベクトル解析 技術者のための高等数学
統計学
確率と統計 技術者のための高等数学
完全独習 統計学入門
これならわかる確率・統計セミナー
複素関数
複素関数論 技術者のための高等数学
その他
最適化とグラフ理論 技術者のための高等数学
数値解析 技術者のための高等数学
物理学
初等力学
電磁気学
電気磁気学 電気学会大学講座
電気電子応用計測 電気学会大学講座
電気電子計測の基礎-誤差から不確かさへ- 電気学会大学講座
マクスウェル方程式から始める電磁気学
理論電磁気学
量子力学
解析力学・量子論 第2版
ディラック 量子力学 原書第4版 改訂版
量子化学―基礎からのアプローチ
量子場を学ぶための場の解析力学入門
固体物理
▼キッテル 固体物理学入門 第8版
１ 結晶構造
原子の周期的配列
空間格子の基本型
結晶面の指数
簡単な結晶構造
原子構造の直接像
理想的でない結晶構造
結晶構造データ集
２ 波の回折と逆格子
結晶による波の回折
散乱波の振幅
ブリルアル・ゾーン
単位構造のフーリエ解析
３ 結晶結合と弾性定数
希ガス結晶
イオン結晶
共有結合結晶
金属結晶
水素結合をもつ結晶
原子半径
弾性ひずみの解析
弾性コンプライアンスとスティフネス定数
立方結晶の弾性波
４ フォノンⅠ：結晶の振動
単原子結晶の振動
基本格子が２個の原子を含む格子
弾性波の量子化
フォノンの運動量
フォノンによる非弾性散乱
５ フォノンⅡ：熱的性質
フォノン比熱
結晶における非調和相互作用
熱伝導率
６ 自由電子フェルミ気体
１次元のエネルギー準位
フェルミ－ディラックの分布関数に対する温度の効果
３次元の自由電子気体
電子気体の比熱
電気伝導率とオームの法則
磁場内の運動
金属の熱伝導率
７ エネルギーバンド
自由電子に近い電子モデル
ブロッホ関数
クローニッヒ－ペニー・モデル
周期的ポテンシャル内の電子の波動方程式
バンドの中の状態数
８ 半導体
バンドギャップ
運動方程式
固有領域のキャリヤー濃度
不純物伝導
熱電効果
半金属
超格子
９ フェルミ面と金属
フェルミ面の構成
電子軌道，ホール軌道，開いた軌道
エネルギーバンドの計算
フェルミ面を研究する実験的方法
１０ 超伝導
実験事実
理論的考察
高温超伝導体
１１ 反磁性と常磁性
ランジュバンの反磁性方程式
１個の原子核系における反磁性の量子論
常磁性
常磁性の量子論
常磁性塩のエントロピー不変消磁法による冷却
伝導電子の常磁性磁化率
１２ 強磁性と反強磁性
強磁性的秩序
マグノン
中性子の磁気的散乱
フェリ磁性
反強磁性
強磁性体の磁区
単磁区微粒子
１３ 磁気共鳴
核磁気共鳴
吸収線の幅
超微細構造分裂
核四重極共鳴
強磁性共鳴
反強磁性共鳴
電子常磁性共鳴
メーザー作用の原理
１４ プラズモン，ポラリトン，ポーラロン
電子気体の誘電関数
プラズモン
静電的遮蔽
ポラリトン
電子－電子相互作用
電子－フォノン相互作用：ポーラロン
１次元金属のパイエルス不安定
１５ 光学的過程と励起子
光反射
励起子
結晶中のラマン効果
固体中での高速粒子のエネルギー損失
１６ 誘電体と強誘電体
巨視的な電場
原子の場所の局所電場
誘電率と分極率
構造相転移
強誘電性結晶
変位型転移
１７ 表面および界面の物理学
表面の結晶学
表面の電子構造
２次元チャネルにおける磁気抵抗
ｐ‐ｎ 接合
ヘテロ構造
半導体レーザー
発光ダイオード
１８ ナノ構造
ナノ構造に対する画像化技術
１次元系の電子状態
１次元における電気伝導
ゼロ次元系の電子構造
ゼロ次元における電気的輸送現象
格子振動および熱的性質
１９ 非晶質固体
回折パターン
ガラス
アモルファス強磁性体
アモルファス半導体
アモルファス固体中の低エネルギー励起
ファイバー光学
２０ 点欠陥
空格子点
拡散
色中心
２１ 転位
単結晶のずれ変形に対する強度
転位
合金の強度
転位と結晶成長
物質の硬度
２２ 合金
一般的考察
置換型の固溶体－ヒューム－ロザリーの規則
規則－不規則変態
状態図
遷移金属の合金
近藤効果
付録Ａ 反射線の温度変化
付録Ｂ 格子和の計算に関するエバルトの方法
規則正しく並んだ双極子の格子和についてのエバルト－コーンフェルトの方法
付録Ｃ 弾性波の量子化：フォノン
フォノン座標 生成および消滅演算子
付録Ｄ フェルミ－ディラックの分布関数
付録Ｅ ｄｋ／ｄｔ方程式の導出
付録Ｆ ボルツマンの輸送方程式
粒子の拡散 古典分布 フェルミ－ディラックの分布 電気伝導率
付録Ｇ ベクトルポテンシャル，場の運動量，ゲージ変換
ラグランジュ運動方程式 ハミルトニアンの導出 場の運動量 ゲージ変換 ロンドン方程式によるゲージ
付録Ｈ クーパー対
付録Ｉ ギンツブルク－ランダウ方程式
付録Ｊ 電子とフォノンの衝突
▼固体電子の量子論|浅野 建一
第I部基礎概念
第1章物性論におけるモデル
第2章量子力学からの準備
第3章平衡統計力学からの準備
第4章線形応答の量子論
第II部バンド理論
第5章結晶中の一電子状態
第6章バンド理論の基礎
第7章一電子近似の手法
第III部固体電子の電磁応答
第8章物質の電磁気学
第9章金属の電気伝導と光学応答
第10章絶縁体・半導体の光学応答
第11章金属における遮蔽効果
第IV部電子相関
第12章LandauのFermi 液体論
第13章近藤問題と局所Fermi 液体
第14章Mott-Hubbard 絶縁体
第V部自発的対称性の破れ
第15章金属強磁性
第16章超伝導のBCS 理論
第17章BCS 理論の応用
第VI部量子Hall効果
第18章整数量子Hall効果
第19章分数量子Hall効果
▼固体の電子論|斯波 弘行
第1章相互作用のない電子系
1.1 自由電子モデル
1.2 自由電子モデルの基本的性質
1.2.1 シュレーディンガー方程式
1.2.2 状態密度と低温の性質
1.2.3 アルカリ金属や貴金属は自由電子モデルにどれくらい近いか?
1.3 周期ポテンシャル中の電子-ブロッホ関数
1.3.1 弱い周期ポテンシャルの効果
1.3.2 フェルミ面への弱い周期ポテンシャルの影曹
1.4 擬ポテンシャル
1.5 強く束縛された電子の近似
1.6 バンド理論と金属・絶縁体の区別
第2章モット絶縁体とその磁性
2.1 バンド理論の破綻とモット絶縁体
2.2 モット絶縁体の最も簡単なモデル-ハバード・モデル
2.3 モット絶縁体における有効ハミルトニアン
2.4 モット・ハバード型絶縁体と電荷移動型絶縁体
第3章フェルミ流体と非フェルミ流体
3.1 フェルミ粒子同七の散乱による寿命と系の次元
3.2 ランダウのフェルミ流体理論
3.2.1 準粒子相互作用の看物を着た粒子
3.2.2 準粒子の性質
3.2.3 微視的に見たフェルミ流体
3.3 1次元電子系一典型的非フェルミ流体
3.3.1 摂動展開の発散
3.3.2 朝永・ラッティンジャー液体
第4章近藤効果および関連する問題
4.1 金属中の鉄族不純物
4.2 抵抗極小の近藤理論
4.3 近藤効果のスケーリング理論
4.4 弱い相互作用の極限から見たアンダーソン・モデル
4.4.1 相互作用のないアンダーソン・モデル
4.4.2 相互作用の効果局所フェルミ流体
4.5 金属によるX線の吸収、放出のフェルミ端異常
第5章超伝導
5.1 超伝導:実験が示す基本的性質と現象論
5.2 電子と格子振動との相互作用
5.3 BCS理論
5.3.1 擬スピン表示
5.3.2 ギャップ方程式とその解
5.3.3 エントロピー、自由エネルギー、比熱
5.3.4 基底状態、励起状態の波動関数
5.4 電子対のボース凝縮とクーパー対
5.5 等方的超伝導体におけるクーロン斥力の効果
5.6 異方的超伝導
5.7 ミクロな干渉現象
5.8 マイスナー効果
5.9 ジョセフソン効果、磁束の量子化、量子干渉効果
5.9.1 ジョセフソン効果
5.9.2 磁束の量子化
5.9.3 量子干渉効果
第6章遍歴する電子のスピンの秩序と揺らぎ
6.1 スピン秩序を示す金属の例
6.2 遷移金属の電子状態
6.3 相互作用の弱い電子系:金属磁性の分子場理論
6.3.1 強磁性状態
6.3.2 一般の磁気秩序
6.4 ストーナー励起とスピン波
6.5 強磁性寸前の金属のスピンの揺らぎ
6.6 量子臨界点
6.7 強い電子相関と金属強磁性
6.7.1 2電子間題
6.7.2 ニッケルの強磁性の金森理論
付録A線形応答と動的帯磁率
A.1 線形応答の一般論
A.2 動的帯磁率
▼固体物理学: 工学のために|岡崎 誠
結晶構造と周期性
ｋ空間
量子力学
固体の結合
格子振動
格子比熱と熱伝導
自由電子論
エネルギーバンド
バンド理論の応用
電気伝導
光学的性質
磁性
半導体の物理
超伝導
多体問題
▼固体物理学〈上〉 (物理学叢書)|G.グロッソ,G.P.パラビチニ
第１章 １次元周期ポテンシャル中の電子
第２章 結晶の幾何学的な記述：結晶格子と逆格子
第３章 ゾンマーフェルトによる金属の自由電子理論
第４章 １電子近似と近似を越えて
第５章 結晶のバンド理論
第６章 いくつかの結晶の電子的性質
▼固体物理学〈中〉 (物理学叢書)|G.グロッソ,G.P.パラビチニ
第７章 結晶における励起子、プラズモン、誘電遮蔽
第８章 相互作用する電子‐原子核系と断熱原理
第９章 結晶の格子力学
第１０章 結晶による粒子の散乱
第１１章 金属の光学的性質と輸送の性質
第１２章 半導体と絶縁体の光学的性質
▼固体物理学〈下〉 (物理学叢書)|G.グロッソ,G.P.パラビチニ
第１３章 真性半導体と一様にドープした半導体の輸送
第１４章 非一様な半導体の輸送
第１５章 磁場中の電子ガス
第１６章 局在した系の磁気的性質と近藤不純物
第１７章 結晶の磁気秩序
第１８章 超伝導
▼固体物理の基礎 上・1 固体電子論概論 (物理学叢書 46)|アシュクロフト,マーミン
1 金属のドゥルーデ（Drude）理論
2 金属のゾンマーフェルト理論
3 自由電子モデルの破綻
4 結晶格子
5 逆格子
6 Ｘ線回折による結晶構造の決定
7 ブラベー格子の分類と結晶構造の分類
8 周期ポテンシャル中の電子状態，一般的性質
9 弱い周期ポテンシャルの中の電子
10 強く束縛された方法
▼固体物理の基礎 上・2 固体のバンド理論 (物理学叢書 47)|アシュクロフト,マーミン
11 バンド構造を計算する他の方法
12 電子の動力学の半古典的モデル
13 金属伝導の半古典的理論
14 フェルミ面の測定
15 いくつかの金属のバンド構造
16 緩和時間近似を越えた近似
17 独立電子近似を越えた近似
18 表面効果
▼固体物理の基礎 下・1 固体フォノンの諸問題 (物理学叢書 48)|アシュクロフト,マーミン
19 固体の分類
20 凝集エネルギー
21 静止格子模型の破綻
22 調和結晶の古典論
23 調和結晶の量子論
24 フォノン分散関係の測定
25 結晶の非調和効果
26 金属中のフォノン
27 絶縁体の誘電的性質
▼固体物理の基礎 下・2 固体の物性各論 (物理学叢書)|アシュクロフト,マーミン
28 均質な半導体
29 不均質な半導体
30 結晶中の欠陥
31 反磁性と常磁性
32 電子相互作用と磁気的構造
33 磁気的秩序
34 超伝導
固体物性工学
固体物性の基礎―半導体デバイスへのアプローチ
固体物性入門：例題・演習と詳しい解答で理解する
▼初歩から学ぶ固体物理学 (ＫＳ物理専門書)|矢口裕之
第1章 序章―固体物理学では何を学ぶのか
第2章 結晶構造
2.1 結晶とは
2.2 格子
2.3 結晶構造の具体例
2.4 ミラー指数
第3章 逆格子
3.1 逆格子空間
3.2 逆格子ベクトル
3.3 結晶による回折
第4章 量子力学の基礎
4.1 粒子と波の二重性
4.2 演算子，固有値・固有関数
4.3 シュレーディンガー方程式
4.4 物理量の期待値
4.5 不確定性原理
4.6 無限に深い１次元の井戸型ポテンシャル
4.7 角運動量
4.8 水素原子の電子状態
4.9 多電子原子の電子状態
4.10 調和振動子
第5章 統計力学の基礎
5.1 フェルミ粒子とボース粒子
5.2 グランドカノニカル分布
5.3 フェルミ分布
5.4 ボース分布
第6章 固体における結合
6.1 結合エネルギー
6.2 共有結合
6.3 イオン結合
6.4 金属結合
6.5 ファン・デル・ワールス結合
6.6 結合の概念図
第7章 格子振動とフォノン
7.1 １種類の原子からなる１次元の格子振動
7.2 ２種類の原子からなる１次元の格子振動
7.3 音響モード，光学モード
7.4 ３次元の格子振動
7.5 フォノン：格子振動の量子化
第8章 固体の熱的性質
8.1 固体の比熱
8.2 固体の熱伝導
第9章 自由電子論
9.1 自由電子モデル
9.2 状態密度，電子のエネルギー分布
第10章 バンド理論
10.1 バンドについての概説
10.2 １電子シュレーディンガー方程式
10.3 ブロッホの定理
10.4 ほとんど自由な電子モデルによるバンド理論の導出
10.5 強結合近似によるバンド理論の導出
第11章 固体中の電気伝導
11.1 結晶中での電子の運動
11.2 正孔
11.3 オームの法則
11.4 電気伝導の古典的な扱い
11.5 ボルツマン方程式による電気伝導の扱い
11.6 格子振動による散乱
11.7 不純物による散乱
11.8 金属の電気抵抗率の温度依存性
11.9 ホール効果
第12章 固体の光学的性質
12.1 真空中の電磁波
12.2 物質中の電磁波
12.3 絶縁体の光学的性質
12.4 導体の光学的性質
12.5 バンド間遷移による光吸収
第13章 固体の磁気的性質
13.1 さまざまな磁性
13.2 磁気モーメント
13.3 磁性に関する物理量
13.4 一様な磁束密度中における磁気モーメントのポテンシャルエネルギー
13.5 原子あるいはイオンの常磁性
13.6 ラーモア反磁性
13.7 パウリ常磁性
13.8 ランダウ反磁性
13.9 強磁性
13.10 反強磁性
13.11 フェリ磁性
13.12 磁区
第14章 半導体
14.1 半導体のバンド構造
14.2 真性半導体におけるキャリアのエネルギー分布
14.3 不純物ドーピング
14.4 pn 接合
第15章 超伝導
15.1 超伝導体が示す現象
15.2 臨界磁場
15.3 磁束の量子化
付録A 複素フーリエ変換を用いる理由
付録B 量子力学における運動量の期待値
付録C ωがωmaxを超える場合
付録D 気体分子運動論による熱伝導率の導出
付録E 図9.4の点の数が619個になることについて
付録F ゾンマーフェルト展開の導出
付録G 時間に依存する摂動
付録H ランダウ反磁性の磁化率
付録I 実際のバンド構造に対応する修正
付録J 有効質量方程式の導出
電気電子材料 OHM大学テキスト
電気電子材料-基礎から試験法まで- 電気学会大学講座
電子物性とデバイス (電子情報通信レクチャーシリーズ A- 9)
▼固体物性と電気伝導|鈴木実
第1章 結晶構造と逆格子
第2章 量子力学の基礎と波数空間
第3章 フェルミ‐ディラック統計と自由電子モデル
第4章 結晶中の電子状態とバンド構造
第5章 ドゥルーデモデル
第6章 ボルツマン方程式
第7章 固体中の電気伝導
第8章 格子振動とフォノン
第9章 電子・フォノン相互作用
第10章 変分法とボルツマン方程式
第11章 半導体の電気伝導
第12章 金属の電気伝導
第13章 超伝導体の電気伝導
第14章 高周波の電気伝導
第15章 低次元系の電気伝導
光学
光学
光学の原理〈1〉
光学の原理〈2〉
光学の原理〈3〉
シミュレーション光学―多様な光学系設計のために
量子光学 (朝倉物性物理シリーズ)
その他物理
スピンと軌道の電子論 (KS物理専門書)
テンソル解析 (基礎数学選書 23)
ナノスケールの光物性 (ナノオプティクス)
よくわかる初等力学
よくわかる解析力学
振動・波動
熱力学 現代的な視点から
熱学・統計力学 大学演習 修訂版
物理とテンソル (物理数学One Point)
物理のためのベクトルとテンソル
磁性入門：スピンから磁石まで
統計力学Ⅰ 新物理学シリーズ37
工学
電子回路
なっとくする電子回路
学びやすいアナログ電子回路
電気回路論 電気学会大学講座
電気回路論問題演習詳解 電気学会大学講座
アナログ電子回路 -集積回路化時代の-
半導体
▼アナログCMOS集積回路の設計 基礎編|Behzad Razavi
第１章 はじめに
１．１ なぜアナログか？
１．２ なぜ集積回路か？
１．３ なぜCMOSか？
１．４ なぜこの教科書か
１．５ 全般的事項
第２章 MOSデバイスの物理の基礎
２．１ 概論
２．２ MOSの電流電圧特性
２．３ 二次効果
２．４ MOSデバイスモデル
付録Ａ：MOSデバイスの容量としての性質
第３章 １段増幅回路
３．１ 基本的な概念
３．２ ソース接地増幅段
３．３ ソースフォロワ
３．４ ゲート接地増幅段
３．５ カスコード増幅段
３．６ デバイスモデルの選択
第４章 差動増幅回路
４．１ シングルエンド回路と差動回路
４．２ 基本差動対
４．３ 同相信号に対する応答
４．４ MOSトランジスタを負荷とする差動対
４．５ ギルバートセル
第５章 バイアス用および信号処理用カレントミラー
５．１ 基本カレントミラー
５．２ カスコードカレントミラー
５．３ 信号処理用カレントミラー
第６章 増幅回路の周波数特性
６．１ 概論
６．２ ソース接地増幅段
６．３ ソースフォロワ
６．４ ゲート接地増幅段
６．５ カスコード回路
６．６ 差動増幅回路
付録Ａ ミラーの定理の双対性
第７章 雑音
７．１ 雑音の統計的性質
７．２ 雑音の種類
７．３ 回路における雑音の表現
７．４ １段増幅器における雑音
７．５ 差動対における雑音
７．６ 雑音帯域
▼アナログCMOS集積回路の設計 応用編|Behzad Razavi
第８章 フィードバック
８．１ 概論
８．２ フィードバックの形式
８．３ 負荷効果
８．４ 雑音に対するフィードバックの効果
第９章 オペアンプ
９．１ 一般的な考察
９．２ １段オペアンプ（one-stage opamps）
９．３ ２段オペアンプ
９．４ ゲインブースト
９．５ 比較
９．６ コモンモードフィードバック
９．７ 入力動作範囲の制限
９．８ スルーレート
９．９ 電源除去
９．10 オペアンプの雑音
第10章 安定性と周波数補償
10．１ 概論
10．２ 複数の極を有するシステム
10．３ 位相余裕
10．４ 周波数補償
10．５ ２段オペアンプの補償
10．６ 他の補償手法
第11章 バンドギャップレファレンス
11．１ 一般的考察
11．２ 電源電圧に依存しないバイアス手法
11．３ 温度に依存しないレファレンス回路
11．４ ＰＴＡＴ電流の組成
11．５ gm一定のバイアス手法
11．６ 速度と雑音の問題
11．７ ケーススタディ
第12章 スイッチトキャパシタ回路
12．１ 概論
12．２ サンプリングスイッチ
12．３ スイッチトキャパシタアンプ
12．４ スイッチトキャパシタ（ＳＣ）積分器
12．５ スイッチトキャパシタによる同相信号帰還
第13章 非線形性とミスマッチ
13．１ 非線形性
13．２ ミスマッチ
第14章 発振器
14．１ 概論
14．２ リング発振器
14．３ ＬＣ発振器
14．４ 電圧制御発振器（ＶＣＯ）
14．５ ＶＣＯの数学的モデル
第15章 ＰＬＬ
15．１ ＰＬＬの基本構成
15．２ チャージポンプ型ＰＬＬ
15．３ ＰＬＬへの非理想条件による影響
15．４ 遅延同期ループ
15．５ 適用例
第16章 ショートチャネル効果とデバイスモデル
16．１ スケーリング理論
16．２ ショートチャネル効果
16．３ ＭＯＳデバイスモデル
16．４ プロセスコーナーポイント
16．５ デジタル素子を用いたアナログ設計
第17章 ＣＭＯＳプロセス技術
17．１ 概論
17．２ ウェーハプロセス
17．３ フォトリソグラフィ
17．４ 酸化
17．５ イオン注入
17．６ 成膜とエッチング
17．７ デバイスの製造
17．８ ラッチアップ
第18章 レイアウトとパッケージ
18．１ レイアウトに関する一般的な考察
18．２ アナログレイアウト技術
18．３ 基盤結合
18．４ パッケージ封止
▼アナログCMOS集積回路の設計 演習編|黒田 忠広
第１章 はじめに
第２章 ＭＯＳデバイスの物理の基礎
第３章 １段増幅回路
第４章 差動増幅回路
第５章 バイアス用および信号処理用カレントミラー
第６章 増幅回路の周波数特性
第７章 雑音
第８章 フィードバック
第９章 オペアンプ
第10章 安定性と周波数補償
第11章 バンドギャップレファレンス
第12章 スイッチトキャパシタ回路
第13章 非線形性とミスマッチ
第14章 発振器
第15章 ＰＬＬ
第16章 ショートチャネル効果とデバイスモデル
第17章 ＣＭＯＳプロセス技術
第18章 レイアウトとパッケージ
▼グローブ 半導体デバイスの基礎|Ｇｒｏｖｅ，Ａｎｄｒｅｗ Ｓ．
Ⅰ部 固体技術
1章 気相成長
1.1 膜成長の運動論
1.2 気相物質移動
1.3 気体の諸性質
2章 熱酸化
2.1 酸化膜成長の運動論
2.2 酸化に与える空間電荷効果
3章 固体拡散
3.1 流束
3.2 輸送方程式
3.3 拡散層
3.4 単位拡散理論からのずれ
3.5 熱酸化中における不純物再分布
3.6 シリコン酸化膜を通しての拡散(酸化膜マスキング)
3.7 エピタキシャル成長における不純物再分布
Ⅱ部 半導体と半導体デバイス
4章 半導体物理の初歩
4.1 固体のバンド理論
4.2 半導体における電子と正孔
4.3 フェルミ-ディラックの分布関数
4.4 平衡状態における半導体の重要な式
4.5 電子と正孔の輸送
5章 非平衡状態の半導体
5.1 注入
5.2 再結合過程の物理
5.3 低水準注入における寿命
5.4 表面再結合
5.5 再結合-発生中心のソース
6章 pn接合
6.1 静電場
6.2 階段接合の空間電荷領域
6.3 直線傾斜接合の空間電荷領域
6.4 拡散接合の空間電荷領域
6.5 キャパシタンス-電圧特性
6.6 電流-電圧特性
6.7 接合の降伏
6.8 過渡現象
7章 接合トランジスタ
7.1 トランジスタの動作原理
7.2 トランジスタに流れる電流：電流利得
7.3 単位理論の制限とその拡張
7.4 ベース抵抗
7.5 最大電圧制限
7.6 最小電圧制限
7.7 熱制限
8章 接合型電界効果トランジスタ
8.1 動作原理
8.2 接合型電界効果トランジスタの特性
8.3 単体理論の拡張
Ⅲ部 表面効果と表面制御型デバイス
9章 半導体表面の理論
9.1 表面空間電荷領域の特性-平衡状態の場合
9.2 理想MIS(MOS)構造
9.3 MOS特性に与える仕事関数差、電荷および表面準位の効果
10章 pn接合に与える表面効果
10.1 表面空間電荷領域の特性-非平衡状態の場合
10.2 ゲート制御型ダイオード構造
10.3 表面空間電荷領域における再結合-発生過程
10.4 電界誘起型接合とチャネル電流
10.5 接合の降伏電圧に与える表面効果
11章 表面電界効果型トランジスタ
11.1 動作原理
11.2 表面電界効果型トランジスタの特性
11.3 単体理論の拡張
11.4 その他の表面電界効果型トランジスタ
12章 シリコン-シリコン酸化膜系の性質
12.1 速い表面準位
12.2 酸化膜中の空間電荷
12.3 界面電荷
12.4 障壁エネルギ
12.5 表面移動度
12.6 酸化膜表面の電動
12.7 その他の絶縁膜
▼タウア・ニン 最新VLSIの基礎 第2版|タウア・ニン
１ 序章
１．１ ＶＬＳＩデバイス技術における革新
１．２ 最近のＶＬＳＩデバイス
１．３ 本書の概要
２ デバイス物理の基礎
２．１ シリコン中の電子と正孔
２．２ ｐ‐ｎ接合
２．３ ＭＯＳキャパシタ
２．４ 金属‐シリコン接触
２．５ 高電界効果
３ ＭＯＳＦＥＴデバイス
３．１ 長チャネルＭＯＳＦＥＴ
３．２ 短チャネルＭＯＳＦＥＴ
４ ＣＭＯＳデバイス設計
４．１ ＭＯＳＦＥＴスケーリング
４．２ しきい値電圧
４．３ ＭＯＳＦＥＴのチャネル長
５ ＣＭＯＳ性能因子
５．１ ＣＭＯＳ基本回路
５．２ 寄生成分
５．３ デバイスパラメータのＣＭＯＳ遅延に対する影響度
５．４ 先端ＣＭＯＳデバイスの性能因子
６ バイポーラデバイス
６．１ ｎ‐ｐ‐ｎトランジスタ
６．２ 理想電流‐電圧特性
６．３ 典型的なn-p-nトランジスタの特性
６．４ 回路と過渡応答解析のためのバイポーラデバイスモデル
６．５ 降伏電圧
７ バイポーラデバイス設計
７．１ エミッタ領域の設計
７．２ ベース領域の設計
７．３ コレクタ領域の設計
７．４ ＳｉＧｅベースバイポーラトランジスタ
７．５ 現代のバイポーラトランジスタ構造
８ バイポーラ性能因子
８．１ バイポーラトランジスタの性能指標
８．２ デジタルバイポーラ回路
８．３ デジタル回路のためのバイポーラトランジスタ最適化
８．４ ＥＣＬ回路におけるバイポーラトランジスタのスケーリング
８．５ アナログ回路におけるバイポーラデバイスの最適化とスケーリング
８．６ ＳｉＧｅベースバイポーラトランジスタＧａＡｓＨＢＴの比較
９ メモリデバイス
９．１ スタティックランダムアクセスメモリ
９．２ ダイナミックランダムアクセスメモリ
９．３ 不揮発性メモリ
10 ＳＯＩデバイス
10．１ ＳＯＩ ＣＭＯＳ
10．２ 薄膜ＳＯＩバイポーラ
10．３ ダブルゲートＭＯＳＦＥＴ
付録Ａ１ ＣＭＯＳプロセスフロー
付録Ａ２ 最近のn-p-nバイポーラトランジスタ製造プロセスの概要
付録Ａ３ アインシュタインの関係式
Ａ３．１ ドリフト
Ａ３．２ 拡散
付録Ａ４ 擬フィルミ・ポテンシャルの空間分布
Ａ４．１ 少数キャリア擬フィルミ・ポテンシャルの空間分布
Ａ４．２ 空間電荷領域内での擬フィルミ・ポテンシャルの変化
付録Ａ５ 生成‐再結合過程と空間電荷領域電流
Ａ５．１ トラップにおける捕獲と放出
Ａ５．２ 定常状態におけるトラップの占有
Ａ５．３ 正味の再結合率
Ａ５．４ 有効な生成‐再結合中心
Ａ５．５ 少数キャリアの寿命
Ａ５．６ 空乏領域における生成率
Ａ５．７ 空間電荷領域内の正味の再結合率
Ａ５．８ 空間電荷領域に起因する生成‐再結合電流
付録Ａ６ ｐ‐ｎダイオードの拡散容量
Ａ６．１ 小信号電子・正孔成分
Ａ６．２ 小信号ベース端子電流
Ａ６．３ 周波数（ωTPE＜１およびωtB＜１）拡散容量
Ａ６．４ 高周波における拡散容量（ωTpE＞１）
付録Ａ７ 鏡像力による障壁低下
付録Ａ８ なだれ降伏の開始条件
付録Ａ９ サブスレッショルド状態での短チャネル効果の解析解
付録Ａ10 一般化したMOSFETのスケール長モデル
Ａ10．１ ２領域スケール長方程式
Ａ10．２ ３領域スケール長方程式
Ａ10．３ 区分的固有関数の可能性
付録Ａ11 バリスティックＭＯＳＦＥＴのドレイン電流モデル
Ａ11．１ バリスティックＭＯＳＦＥＴにおけるソース‐ドレイン伝習モデル
Ａ11．２ 単一サブバンド電力利用
付録Ａ12 弱反転状態での量子力学的な解析解
Ａ12．１ ２次元状態密度
Ａ12．２ 量子力学的反転電荷密度
Ａ12．３ 低電界量子力学解の３次元連続解への収束
付録Ａ13 ２端子対網の電力利得
付録Ａ14 ＭＯＳＦＥＴトランジスタの単位利得周波数
Ａ14．１ 単位電流利得周波数fT
Ａ14．２ 単位電力利得周波数fmax
付録Ａ15 エミッタ抵抗とベース抵抗の決定
Ａ15．１ エミッタ直列抵抗がVBEに依存せず，一定である場合
Ａ15．２ エミッタ著呉ｔ抵抗がVBEの関数の場合
Ａ15．３ ベース抵抗の直接測定
Ａ15．４ ベース抵抗のＶＢＥ依存性
付録Ａ16 真性ベース抵抗
Ａ16．１ 電流集中効果が無視できる場合
Ａ16．２ 他のエミッタ構造
Ａ16．３ エミッタ電流集中効果の推定
付録Ａ17 Ｓｉ‐Ｓｉｇｅ ｎ-ｐダイオードのエネルギーバンド図
付録Ａ18 バイポーラトランジスタのfTとFmax
Ａ18．１ 遮断（単位電流利得）周波数fT
Ａ18．２ 単位電力利得（最大発振）周波数fmax
例題で学ぶ半導体デバイス
例題と演習で理解する基礎半導体工学
光デバイス入門- pn接合ダイオードと光デバイス –
半導体デバイス：基礎理論とプロセス技術
半導体デバイスの物理Sze原著
半導体の物理 (半導体工学シリーズ)
半導体光デバイス
半導体物性
半導体超格子の物理と応用
半導体量子輸送物性 (新物理学シリーズ)
超格子ヘテロ構造デバイス
超格子構造の光物性と応用 (フォトニクスシリーズ)
半導体プロセス・形状シミュレーション技術−加工精度向上のツボ−
基礎から学ぶ半導体電子デバイス
半導体デバイス―基礎理論とプロセス技術
はじめての半導体プロセス (現場の即戦力)
はじめての半導体リソグラフィ技術 (現場の即戦力)
はじめての半導体ドライエッチング技術 (現場の即戦力)
▼半導体デバイスシミュレーション- CGで可視化するサブミクロンデバイスの世界 FD付 -|冨澤 一隆
1. 半導体物理の基礎
1.1 はじめに
1.2 結晶内の電子とバンド構造のモデル
1.3 キャリヤのドリフトの運動方程式
1.4 ヘテロ構造とヘテロ接合
1.5 量子井戸へのキャリヤの閉込め
1.6 フォノン
1.7 まとめ
演習問題1
2. キャリヤ散乱の理論
2.1 はじめに
2.2 散乱の量子論
2.3 不純物散乱
2.4 フォノン散乱
2.4.1 音響フォノン散乱
2.4.2 非有極性光学フォノン散乱
2.4.3 有極性光学フォノン散乱
2.5 キャリヤ・キャリヤ散乱
2.5.1 プラズモン散乱
2.5.2 2体散乱
2.6 非放物線的バンド内でのキャリヤの散乱
2.7 擬2次元電子ガスの散乱
2.7.1 音響フォノン散乱と非有極性光学フォノン散乱
2.7.2 有極性光学フォノンによる散乱
2.8 その他の散乱機構
2.8.1 合金散乱
2.8.2 圧電効果散乱
2.8.3 擬2次元電子の界面ラフネス散乱
2.8.4 擬2次元電子のイオン化不純物散乱
2.9 まとめ
演習問題2
3. キャリヤ輸送のモンテカルロ計算
3.1 はじめに
3.2 1粒子モンテカルロ法
3.2.1 キャリヤの運動のシミュレーション
3.2.2 ドリフト過程の計算
3.2.3 散乱過程の計算
3.2.4 電子のドリフト速度の計算
3.3 多粒子モンテカルロ法
3.3.1 多数のキャリヤの運動のシミュレーション
3.3.2 速度オーバーシュート現象のシミュレーション
3.4 まとめ
演習問題3
4. モンテカルロデバイスシミュレーション
4.1 はじめに
4.1.1 デバイスモデリング
4.1.2 時間ステップと格子サイズの検討
4.2 デバイスモデル内の粒子の運動
4.2.1 初期条件の設定
4.2.2 粒子の運動と境界条件
4.3 空間電荷分布とポテンシャル計算
4.3.1 空間電荷分布の計算
4.3.2 有限差分法によるポアソン方程式の解法
4.4 デバイス特性の抽出
4.5 デバイスシミュレーションの実際例
4.5.1 GaAs MESFETのシミュレーション
4.5.2 AlGaAs HBTのシミュレーション
4.5.3 擬2次元電子ガスの輸送の計算
4.5.1 シリコンMOSFETのシミュレーション
4.6 まとめ
演習問題4
5. バランス方程式によるデバイスシミュレーション
5.1 はじめに
5.2 バランス方程式の導出
5.2.1 キャリヤ濃度のバランス方程式
5.2.2 運動量のバランス方程式
5.2.3 エネルギーのバランス方程式
5.2.4 n,v,wについてのバランス方程式
5.2.5 非放物線形バンドの扱い
5.3 緩和レートとその計算
5.4 特定の半導体のためのバランス方程式モデルの例
5.4.1 シリコンのためのバランス方程式モデル
5.4.2 ガリウムヒ素のためのバランス方程式モデル
5.5 バランス方程式の数値計算
5.5.1 バランス方程式の陽解法
5.5.2 バランス方程式の陰解法
5.5.3 仮想時間を用いた陽解法
5.6 デバイスシミュレーションの実際例
5.6.1 AlGaAs HBTのシミュレーション
5.6.2 シリコンMOSFETのシミュレーション
5.7 バランス方程式モデルの簡単化
5.7.1 一谷モデル
5.7.2 エネルギー輸送モデル
5.7.3 ドリフト拡散モデル
5.7.4 簡単化モデルによるAlGaAs HBTの解析例
5.8 まとめ
演習問題5
付録
付録1 物理定数，材料定数
A.1.1 物理定数
A.1.2 材料定数
付録2 三角ポテンシャル内の擬2次元電子ガス
付録3 調査振動子の量子論
付録4 数値計算についての補足
A.4.1 三角対角行列のLU分解法
A.4.2 式（5.111）の行列要素
付録5 フロッピーディスクのプログラムについて
A.5.1 バルクGaAs内の電子輸送の1粒子モンテカルロ計算
A.5.2 バルクシリコン内の電子輸送の多粒子モンテカルロ計算
A.5.3 GaAsダイオードの多粒子モンテカルロ解析
A.5.4 擬2次元電子輸送の多粒子モンテカルロ計算
A.5.5 バランス方程式によるシリコンダイオードの解析（陰解法）
▼半導体プロセス・デバイスシミュレーション技術|谷口 研二
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その他
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これだけ機械 電験３種
これだけ電力 電験３種
よくわかる電験三種１理論
発変電工学総論 電気学会大学講座
送配電工学 電気学会大学講座
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